近的研究表明，与非图案化层相比，石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si/SiO 2基板上进行进一步处理。如（Mackenzie，2D Materials，[/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

　　使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻，将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6巴压力下压印10分钟，压力在70℃下释放。通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

　　发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。

　　纳米操纵仪优势：

　　由于纳米压印技术的加工过程不使用可见光或紫外光加工图案，而是使用机械手段进行图案转移，这种方法能达到很高的分辨率。报道的高分辨率可达2纳米。此外，模板可以反复使用，无疑大大降低了加工成本，也有效缩短了加工时间。因此，纳米压印技术具有超高分辨率、易量产、低成本、一致性高的技术优点，被认为是一种有望代替现有光刻技术的加工手段。

　　加工过程：

　　纳米操纵仪的技术分为三个步骤：

　　1、是模板的加工：一般使用电子束刻蚀等手段，在硅或其他衬底上加工出所需要的结构作为模板。由于电子的衍射极限远小于光子，因此可以达到远高于光刻的分辨率。

　　2、是图样的转移：在待加工的材料表面涂上光刻胶，然后将模板压在其表面，采用加压的方式使图案转移到光刻胶上。注意光刻胶不能被全部去除，防止模板与材料直接接触，损坏模板。

　　3、是衬底的加工：用紫外光使光刻胶固化，移开模板后，用刻蚀液将上一步未*去除的光刻胶刻蚀掉，露出待加工材料表面，然后使用化学刻蚀的方法进行加工，完成后去除全部光刻胶，终得到高精度加工的材料。